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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRF630NPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF630NPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF630NPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 9,3 A (Tc) 82W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF630NPBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 300mOhm bei 5,4A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 575 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 82W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 3’440
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.13000 | Fr. 1.13 |
| 50 | Fr. 0.39860 | Fr. 19.93 |
| 100 | Fr. 0.36800 | Fr. 36.80 |
| 500 | Fr. 0.36614 | Fr. 183.07 |
| 1’000 | Fr. 0.36088 | Fr. 360.88 |
| 2’000 | Fr. 0.33336 | Fr. 666.72 |
| 5’000 | Fr. 0.33150 | Fr. 1’657.50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.13000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.22153 |
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