IRF6614TR1PBF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF6617TR1PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF6617TR1PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF6617TR1PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 14 A (Ta), 55 A (Tc) 2,1W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ ST
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
14 A (Ta), 55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8,1mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,35V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
DIRECTFET™ ST
Gehäuse / Hülle
DirectFET™, isometrisch, ST
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Obsolet
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