Name: IRF6645TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6645TRPBFTR-ND
Price: 0.94047 CHF
Availability: InStock

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IRF6645TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF6645TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF6645TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF6645TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF6645TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 5,7 A (Ta), 25 A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ SJ
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF6645TRPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,7 A (Ta), 25 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,9V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	890 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DIRECTFET™ SJ
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, SJ
Basis-Produktnummer	IRF6645

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 0.87000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 0.94047

IRF6645TRPBF