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IRF7103PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF7103PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF7103PBF
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 50V 3A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF7103PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
30nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
290pF bei 25V
Leistung - Max.
2W
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
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