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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRF7341PBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRF7341PBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRF7341PBF |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 55V 4,7A 2W Oberflächenmontage 8-SO |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRF7341PBF Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Bei DigiKey nicht mehr erhältlich | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (zweifach) | |
FET-Merkmal | Logikpegel-Gate | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 4,7A | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 50mOhm bei 4,7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 1V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 36nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 740pF bei 25V | |
Leistung - Max. | 2W | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-SO | |
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
Schweiz