Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 1.23234 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7341TRPBFXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7341TRPBFXTMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) Oberflächenmontage PG-DSO-8-902
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7341TRPBFXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,7 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 4,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	36nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	740pF bei 25V
Leistung - Max.	2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-DSO-8-902