IRF7759L2TRPBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7759L2TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7759L2TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7759L2TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 26 A (Ta), 375 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage DirectFET™, isometrisch, L8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7759L2TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26 A (Ta), 375 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,3mOhm bei 96A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	12222 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DirectFET™, isometrisch, L8
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, L8
Basis-Produktnummer	IRF7759