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IRF7807VPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF7807VPBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF7807VPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 8,3 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
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