Name: IRF7853TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7853TRPBFTR-ND
Price: 1.69717 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7853TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7853TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7853TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7853TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7853TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 8,3 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,9V bei 100µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1640 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8,3 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF7853
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 8,3A, 10V