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IRF8113PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF8113PBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF8113PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 17,2 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
17,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,6mOhm bei 17,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2910 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
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