IRF830PBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Vishay Siliconix
Vorrätig: 995
Stückpreis : Fr. 5.42000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 8.97000
Datenblatt
TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF830PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRF830PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF830PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 4,5 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 2,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
610 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Obsolet
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