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Diodes Incorporated
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Datenblatt
MOSFETs - Arrays 30V 9,7A 2W Oberflächenmontage 8-SO
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IRF8313PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF8313PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF8313PBF
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 9,7A 2W Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2,35V bei 25µA
Hersteller
Infineon Technologies
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90nC bei 4,5V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
760pF bei 15V
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
Leistung - Max.
2W
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
Montagetyp
Oberflächenmontage
FET-Merkmal
Logikpegel-Gate
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9,7A
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
15,5mOhm bei 9,7A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
DMN3015LSD-13Diodes Incorporated0DMN3015LSD-13DICT-NDFr. 0.78000Ähnlich
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