Name: IRF9383MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF9383MTRPBFTR-ND
Price: 2.78898 CHF
Availability: InStock

IRF9383MTRPBF ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 3’447

Stückpreis : Fr. 1.54000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF9383MTRPBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRF9383MTRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IRF9383MTRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IRF9383MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF9383MTRPBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 22 A (Ta), 160 A (Tc) 2,1W (Ta), 113W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ MX
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF9383MTRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Ta), 160 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,9mOhm bei 22A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7305 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 113W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DIRECTFET™ MX
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, MX
Basis-Produktnummer	IRF9383