
IRFB31N20DPBF | |
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DigiKey-Teilenr. | IRFB31N20DPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFB31N20DPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 31 A (Tc) 3,1W (Ta), 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 82mOhm bei 18A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 107 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2370 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 3,1W (Ta), 200W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220AB | |
Gehäuse / Hülle |