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IRFB4127PBFXKMA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB31N20DPBF

DigiKey-Teilenr.
IRFB31N20DPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB31N20DPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 31 A (Tc) 3,1W (Ta), 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
82mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2370 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,1W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
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Obsolet
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