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N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB3206PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB3206PBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRFB3206PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB3206PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6540 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFB3206
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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10Fr. 1.64200Fr. 16.42
100Fr. 1.13510Fr. 113.51
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