Name: IRFB3306PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB3306PBFXKMA1-ND
Price: 2.14038 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB3306PBFXKMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRFB3306PBFXKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB3306PBFXKMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 230W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-904
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,2mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1,037mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4520 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-904
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.98000	Fr. 1.98
50	Fr. 0.97100	Fr. 48.55
100	Fr. 0.88590	Fr. 88.59
500	Fr. 0.70186	Fr. 350.93
1’000	Fr. 0.64651	Fr. 646.51
2’000	Fr. 0.59997	Fr. 1’199.94
5’000	Fr. 0.58790	Fr. 2’939.50

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