N-Kanal 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB3307PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB3307PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB3307PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB3307PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 150µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
180 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5150 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,3mOhm bei 75A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 847
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.28000Fr. 2.28
10Fr. 1.47300Fr. 14.73
100Fr. 1.01280Fr. 101.28
500Fr. 0.81580Fr. 407.90
1’000Fr. 0.75249Fr. 752.49
2’000Fr. 0.69927Fr. 1’398.54
5’000Fr. 0.64171Fr. 3’208.55
10’000Fr. 0.62924Fr. 6’292.40
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.28000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.46468