Name: IRFB4127PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4127PBFXKMA1-ND
Price: 3.29705 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB4127PBFXKMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRFB4127PBFXKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB4127PBFXKMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 76 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	76 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20mOhm bei 44A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5380 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.05000	Fr. 3.05
10	Fr. 1.99600	Fr. 19.96
100	Fr. 1.39920	Fr. 139.92
500	Fr. 1.14416	Fr. 572.08
1’000	Fr. 1.06225	Fr. 1’062.25
2’000	Fr. 1.01380	Fr. 2’027.60

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