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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Infineon Technologies
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Vorrätig: 905
Stückpreis : Fr. 2.22000
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Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.85603
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IXYS
Vorrätig: 0
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IXYS
Vorrätig: 174
Stückpreis : Fr. 3.81000
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Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.51220
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Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.20460
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Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.81250
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Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.88120
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Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.76090
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Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.58670
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Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.34520
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IRFB4127PBFXKMA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB4410ZPBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB4410ZPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB4410ZPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 97 A (Tc) 230W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
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IRFB4410ZPBF Modelle
Produkteigenschaften
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Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9mOhm bei 58A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4820 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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