Name: IRFB7730PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB7730PBF-ND
Price: 3.36191 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 75 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB7730PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFB7730PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB7730PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFB7730PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,7V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 407 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13660 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 195 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IRFB7730
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,6mOhm bei 100A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.11000	Fr. 3.11
50	Fr. 1.57140	Fr. 78.57
100	Fr. 1.42280	Fr. 142.28
500	Fr. 1.16234	Fr. 581.17
1’000	Fr. 1.07866	Fr. 1’078.66
2’000	Fr. 1.00833	Fr. 2’016.66
5’000	Fr. 0.95817	Fr. 4’790.85

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