IRFB7787PBF Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IRFB7787PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFB7787PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB7787PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 76 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,7V bei 100µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 109 nC @ 10 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4020 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 76 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IRFB7787
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,4mOhm bei 46A, 10V