Name: IRFHM3911TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFHM3911TRPBFTR-ND
Price: 0.89723 CHF
Availability: InStock

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IRFHM3911TRPBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRFHM3911TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IRFHM3911TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IRFHM3911TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFHM3911TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 3,2 A (Ta), 20 A (Tc) 2,8W (Ta), 29W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (3x3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFHM3911TRPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,2 A (Ta), 20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	115mOhm bei 6,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 35µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	760 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 29W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (3x3)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	IRFHM3911

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 0.83000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 0.89723

IRFHM3911TRPBF