IRFP4232PBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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Infineon Technologies

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Stückpreis : Fr. 1.68095

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFP4232PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFP4232PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFP4232PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 60A TO247AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 60 A (Tc) 430W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Tasche
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35,7mOhm bei 42A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7290 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	430W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3