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IPAN60R360P7SXKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPAN60R360P7SXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPAN60R360P7SXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPAN60R360P7SXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 22W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPAN60R360P7SXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 360mOhm bei 2,7A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 140µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 555 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 22W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220 voller Pack | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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Schweiz