IRFR420TRPBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

IRFR420TRPBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 3’000

Stückpreis : Fr. 1.88000

Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 2’746

Stückpreis : Fr. 1.01000

Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 6’496

Stückpreis : Fr. 0.70000

Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 2’107

Stückpreis : Fr. 0.98000

Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 0

Stückpreis : Fr. 0.54291

Parametrisches Äquivalent

Vishay Siliconix

Vorrätig: 2’798

Stückpreis : Fr. 0.94000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFR420TRPBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRFR420TRPBF-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFR420TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 2,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	2,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3Ohm bei 1,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	360 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA (DPAK)
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IRFR420