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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRFS3207ZPBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRFS3207ZPBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFS3207ZPBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 75 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,1mOhm bei 75A, 10V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 150µA |
Serie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 170 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Bei DigiKey nicht mehr erhältlich | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6920 pF @ 50 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 300W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
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Ersatzartikel (10)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB025N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 8’019 | IPB025N08N3GATMA1CT-ND | Fr. 4.48000 | Ähnlich |
| IPB035N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | 215 | IPB035N08N3GATMA1CT-ND | Fr. 4.39000 | Ähnlich |
| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 349 | IPB049NE7N3GATMA1CT-ND | Fr. 2.83000 | Ähnlich |
| FDB050AN06A0 | onsemi | 1’431 | FDB050AN06A0CT-ND | Fr. 2.78000 | Ähnlich |
| IXTA140N055T2 | IXYS | 0 | 238-IXTA140N055T2-ND | Fr. 1.39330 | Ähnlich |
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