Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBFTR-ND
Price: 3.94565 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFS4229TRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFS4229TRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFS4229TRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFS4229TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFS4229TRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 250 V 45 A (Tc) 330W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFS4229TRLPBF Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4560 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 330W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 45 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRFS4229
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 48mOhm bei 26A, 10V