Name: IRFZ34NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFZ34NPBF-ND
Price: 0.42159 CHF
Availability: OutOfStock

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IRFZ34NPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFZ34NPBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFZ34NPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 29 A (Tc) 68W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFZ34NPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	68W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRFZ34

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