IRFB4127PBFXKMA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLB4030PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRLB4030PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRLB4030PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRLB4030PBF Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,3mOhm bei 110A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
11360 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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100Fr. 1.37100Fr. 137.10
500Fr. 1.12164Fr. 560.82
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2’000Fr. 1.02650Fr. 2’053.00
Standardverpackung des Herstellers
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