Name: IRLH5030TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLH5030TRPBFTR-ND
Price: 2.62683 CHF
Availability: InStock

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IRLH5030TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRLH5030TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRLH5030TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRLH5030TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLH5030TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 13 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLH5030TRPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13 A (Ta), 100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	94 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5185 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,6W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	IRLH5030

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 2.43000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 2.62683

IRLH5030TRPBF