IRLI530NPBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLI530NPBF
DigiKey-Teilenr.	IRLI530NPBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLI530NPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 12 A (Tc) 41W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB voller Pack
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	34 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	41W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB voller Pack
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack