Name: ISC060N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC060N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 2.33496 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISC060N10NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC060N10NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC060N10NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC060N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC060N10NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 15A (Ta), 97A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC060N10NM6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15A (Ta), 97A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,3V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2500 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISC060N