Name: ISC165N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC165N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 2.0539 CHF
Availability: InStock

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ISC165N15NM6ATMA1
cms-digikey-product-number	448-ISC165N15NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC165N15NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC165N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	ISC165N15NM6ATMA1
cms-description	TRENCH >=100V
cms-standard-lead-time	26 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-Kanal 150 V 8,8A (Ta), 50A (Tc) 3W (Ta), 95W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-45
Datenblatt	Datenblatt
cms-eda-cad-models	ISC165N15NM6ATMA1 Modelle

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,8A (Ta), 50A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	8V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	15,6mOhm bei 16A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 35µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1300 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 95W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-45
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 1.90000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 2.05390

ISC165N15NM6ATMA1