10 Power-WHITFN-10-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
10 Power-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0616N10NM5HSCATMA1

DigiKey-Teilenr.
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
ISG0616N10NM5HSCATMA1
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHITFN-10-1
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
19A (Ta), 139A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,8V bei 85µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
78nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4800pF bei 50V
Leistung - Max.
3W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
10-PowerWDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-WHITFN-10-1
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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 4.52000Fr. 4.52
10Fr. 3.01800Fr. 30.18
100Fr. 2.16630Fr. 216.63
500Fr. 2.11140Fr. 1’055.70
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
3’000Fr. 1.72500Fr. 5’175.00
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 4.52000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 4.88612