Name: ISK018NE1LM7ATSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISK018NE1LM7ATSA1TR-ND
Price: 0.98371 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISK018NE1LM7ATSA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISK018NE1LM7ATSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISK018NE1LM7ATSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISK018NE1LM7ATSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISK018NE1LM7ATSA1
Beschreibung	ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 15 V 30A (Ta), 129A (Tc) 2,1W (Ta), 39W (Tc) Oberflächenmontage PG-VSON-6-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISK018NE1LM7ATSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	15 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30A (Ta), 129A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 7V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,8mOhm bei 20A, 7V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 106µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13.6 nC @ 7 V
Vgs (Max.)	±7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1600 pF @ 7.5 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-VSON-6-1
Gehäuse / Hülle	6-PowerVDFN