Name: ISZ15EP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ15EP15LMATMA1TR-ND
Price: 0.95128 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISZ15EP15LMATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISZ15EP15LMATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISZ15EP15LMATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISZ15EP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISZ15EP15LMATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 150 V 820mA (Ta), 2,7A (Tc) 2,5W (Ta), 26,3W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-26
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISZ15EP15LMATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	820mA (Ta), 2,7A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 249µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	480 pF @ 75 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 26,3W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8-26
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN