Name: ISZ75DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ75DP15LMATMA1TR-ND
Price: 1.27558 CHF
Availability: InStock

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ISZ75DP15LMATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISZ75DP15LMATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISZ75DP15LMATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISZ75DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISZ75DP15LMATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 150 V 1,13A (Ta), 5,1A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-26
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISZ75DP15LMATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 750mOhm bei 4A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 543µA
Serie OptiMOS™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30.4 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 75 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,13A (Ta), 5,1A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8-26
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN