BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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Texas Instruments

Vorrätig: 13’114

Stückpreis : Fr. 2.04000

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BSZ033NE2LS5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-BSZ033NE2LS5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-BSZ033NE2LS5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-BSZ033NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ033NE2LS5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 18 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 30W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	BSZ033NE2LS5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 18.3 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1230 pF @ 12 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 30W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8-FL
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Ta), 40 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer BSZ033
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,3mOhm bei 20A, 10V