Name: SPA11N60C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPA11N60C3XKSA1-ND
Price: 3.0268 CHF
Availability: OutOfStock

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SPA11N60C3XKSA1
DigiKey-Teilenr.	SPA11N60C3XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPA11N60C3XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 11 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-31
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPA11N60C3XKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	380mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,9V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1200 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-31
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	SPA11N60

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 2.80000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 3.02680

SPA11N60C3XKSA1