
SPA11N80C3XKSA2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPA11N80C3XKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 680µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 85 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 34W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 7,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP8N70X2M | IXYS | 12 | IXTP8N70X2M-ND | Fr. 3.64000 | Ähnlich |
| TK12E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK12E80WS1X-ND | Fr. 4.48000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.71000 | Fr. 2.71 |
| 50 | Fr. 1.35660 | Fr. 67.83 |
| 100 | Fr. 1.22510 | Fr. 122.51 |
| 500 | Fr. 0.99460 | Fr. 497.30 |
| 1’000 | Fr. 0.92055 | Fr. 920.55 |
| 2’000 | Fr. 0.85831 | Fr. 1’716.62 |
| 5’000 | Fr. 0.79682 | Fr. 3’984.10 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.71000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.92951 |


