N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
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SPP11N60C3XKSA1

DigiKey-Teilenr.
SPP11N60C3XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SPP11N60C3XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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