Name: IV2Q06025T4Z
Brand: Inventchip
SKU: 4084-IV2Q06025T4Z-ND
Price: 10.78838 CHF
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IV2Q06025T4Z
DigiKey-Teilenr.	4084-IV2Q06025T4Z-ND
Hersteller	Inventchip
Hersteller-Teilenummer	IV2Q06025T4Z
Beschreibung	GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 99 A (Tc) 454W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Inventchip
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	99 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	33mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	125 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3090 pF @ 600 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	454W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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10	Fr. 6.95900	Fr. 69.59
100	Fr. 5.25020	Fr. 525.02
500	Fr. 4.92000	Fr. 2’460.00

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