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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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SDRAM - DDR2 Speicher IC 512Mbit Parallel 333 MHz 450 ps 60-TWBGA (8x10,5)
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IS43DR86400C-3DBLI

DigiKey-Teilenr.
IS43DR86400C-3DBLI-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IS43DR86400C-3DBLI
Beschreibung
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SDRAM - DDR2 Speicher IC 512Mbit Parallel 333 MHz 450 ps 60-TWBGA (8x10,5)
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Taktfrequenz
333 MHz
Verpackung
Tablett
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Zugriffszeit
450 ps
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Spannung - Versorgung
1,7V bis 1,9V
Speichertyp
Flüchtig
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Speicherformat
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
SDRAM - DDR2
Gehäuse / Hülle
Speichergröße
Gehäusetyp vom Lieferanten
60-TWBGA (8x10,5)
Speicherorganisation
64M x 8
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IS43DR86400E-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc202706-1561-NDFr. 4.92000Parametrisches Äquivalent
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