IXA55I1200HJ IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

IXA55I1200HJ ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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STMicroelectronics

Vorrätig: 321

Stückpreis : Fr. 4.76000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXA55I1200HJ
DigiKey-Teilenr.	IXA55I1200HJ-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXA55I1200HJ
Beschreibung	IGBT PT 1200V 84A ISOPLUS247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT PT 1200 V 84 A 290 W Durchkontaktierung ISOPLUS247™
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	84 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 50A
Leistung - Max.	290 W
Schaltenergie	4,5mJ (Ein), 5,5mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	190 nC
Td (on/off) bei 25°C	-
Testbedingung	600V, 50A, 15Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	ISOPLUS247™
Basis-Produktnummer	IXA55I1200