IXDH20N120 IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXDH20N120
DigiKey-Teilenr.	IXDH20N120-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXDH20N120
Beschreibung	IGBT NPT 1200V 38A TO-247AD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT NPT 1200 V 38 A 200 W Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	38 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	50 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	3V bei 15V, 20A
Leistung - Max.	200 W
Schaltenergie	3,1mJ (Ein), 2,4mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	70 nC
Td (on/off) bei 25°C	-
Testbedingung	600V, 20A, 82Ohm, 15V
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AD
Basis-Produktnummer	IXDH20