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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

SQM120N10-09_GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 1.18613
Datenblatt

Direkter Ersatz

SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 5’851
Stückpreis : Fr. 3.82000
Datenblatt

Ähnlich

BUK768R1-100E,118
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 7’409
Stückpreis : Fr. 3.72000
Datenblatt

Ähnlich

BUK969R3-100E,118
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.97836
Datenblatt

Ähnlich

DMTH10H010LCTB-13
Diodes Incorporated
Vorrätig: 745
Stückpreis : Fr. 1.65000
Datenblatt

Ähnlich

IRFS4410PBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
Datenblatt

Ähnlich

IRFS4410TRLPBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 3.79000
Datenblatt

Ähnlich

IRFS4410ZTRLPBF
Infineon Technologies
Vorrätig: 3’041
Stückpreis : Fr. 2.18000
Datenblatt

Ähnlich

RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
Vorrätig: 600
Stückpreis : Fr. 5.37000
Datenblatt

Ähnlich

SQM100N10-10_GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1’381
Stückpreis : Fr. 3.13000
Datenblatt

Ähnlich

STB100N10F7
STMicroelectronics
Vorrätig: 984
Stückpreis : Fr. 2.77000
Datenblatt

Ähnlich

STB120NF10T4
STMicroelectronics
Vorrätig: 15’235
Stückpreis : Fr. 3.94000
Datenblatt

Ähnlich

SUM110N10-09-E3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 1’866
Stückpreis : Fr. 6.61000
Datenblatt

Ähnlich

SUM70090E-GE3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 988
Stückpreis : Fr. 1.66000
Datenblatt

Ähnlich

SUM90N10-8M2P-E3
Vishay Siliconix
Vorrätig: 110
Stückpreis : Fr. 4.70000
Datenblatt
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TO-263AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFA130N10T

DigiKey-Teilenr.
IXFA130N10T-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFA130N10T
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 130 A (Tc) 360W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Trench
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
130 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9,1mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5080 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA (IXFA)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IXFA130
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