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IXFA18N60X ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXFA18N60X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXFA18N60X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFA18N60X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 320W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA) |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1440 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 320W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263AA (IXFA) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 230mOhm bei 9A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA18N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFA18N65X2-ND | Fr. 2.35780 | Vom Hersteller empfohlen |
| IPB60R280P7ATMA1 | Infineon Technologies | 6’167 | IPB60R280P7ATMA1CT-ND | Fr. 2.03000 | Ähnlich |
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ENJTLCT-ND | Fr. 1.40086 | Ähnlich |
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | 3’807 | R6015KNJTLCT-ND | Fr. 2.98000 | Ähnlich |
| SIHB15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 1’240 | SIHB15N60E-GE3-ND | Fr. 3.42000 | Ähnlich |
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Obsolet
