TO-263AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFA4N100Q

DigiKey-Teilenr.
IXFA4N100Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFA4N100Q
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 4 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1050 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA (IXFA)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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