Name: IXFB150N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXFB150N65X2-ND
Price: 26.64665 CHF
Availability: InStock

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IXFB150N65X2
DigiKey-Teilenr.	IXFB150N65X2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFB150N65X2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 150 A (Tc) 1560W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXFB150N65X2 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	150 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	430 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	20400 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1560W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PLUS264™
Gehäuse / Hülle	TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer	IXFB150

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