IXFB80N50Q2 IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

IXFB80N50Q2 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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STMicroelectronics

Vorrätig: 375

Stückpreis : Fr. 17.09000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFB80N50Q2
DigiKey-Teilenr.	IXFB80N50Q2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFB80N50Q2
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 80 A (Tc) 960W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q2 Class
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	15000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	960W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PLUS264™
Gehäuse / Hülle	TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer	IXFB80